8868体育官方网站英飞凌推出新一代碳化硅MOSFET沟槽栅技术据英飞凌介绍，全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generaon 2技术在保证高质量和可靠性的基础上，实现了主要性能指标的显著提升。与上一代产品相比，新一代技术在能量和电荷储量等关键领域提升了20%，从而显著提高了整体能效。这一技术的推出，不仅提升了电力电子设备的性能，更为推动低碳化进程做出了积极贡献。

　　英飞凌的CoolSiC™ MOSFET沟槽栅技术作为行业的开创性成果8868体育官方网站，推动了高性能CoolSiC™ G2解决方案的发展。这一技术为电力电子应用提供了更加优化的设计选择，使得基于碳化硅的功率系统能够在更广泛的场景中发挥出色性能。与现有的SiC MOSFET技术相比，CoolSiC™ G2技术具有更高的效率和可靠性，能够满足日益增长的高性能需求。

　　值得一提的是，英飞凌还将屡获殊荣的.XT封装技术与新一代碳化硅MOSFET技术相结合，进一步提升了基于CoolSiC™ G2的设计潜力。这种先进的封装技术不仅提高了导热性，优化了封装控制，还显著提升了产品的整体性能。这一创新举措使得英飞凌的产品在市场中更具竞争力，为电力电子行业的持续发展注入了新的活力。

　　业内专家表示，英飞凌新一代碳化硅MOSFET技术的推出8868体育官方网站，无疑为电力电子领域带来了性的变革。这一技术不仅提高了电力电子设备的能效，还推动了低碳化进程的发展。随着全球对环保和能效要求的不断提高，英飞凌的这一创新技术将在未来发挥更加重要的作用。

　　展望未来，英飞凌将继续致力于电力电子技术的研发和创新，为全球客户提供更加高效、可靠、环保的解决方案。同时，该公司也将积极应对市场挑战，不断推出符合市场需求的新产品和技术，为电力电子行业的可持续发展贡献更多力量。

　　关断损耗Eoff /

　　材料中8868体育官方网站，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。 安富利合作伙伴

　　高性能电源系统 /

　　G2 /

　　的发展 /

　　的高性能系统 /

　　和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原材料制成各种几何尺寸的压敏电阻，然后在特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将

　　功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。

　　的应用及性能优势 /

　　产品奖 /

　　尖峰的抑制 /

　　为中高功率密度应用赋能 /

　　用于工业自动化和电力系统评估板8EBV89317-10G以太网PLL和IEEE 1588频率合成器数据手册